Генеральный директор ООО "АИБИ"
Юрий Павлович Яковлев
Яковлев Юрий Павлович Телефон / E-mail:
+7 (812) 2927956
yakovlev@iropto.ioffe.ru

Юрий Павлович Яковлев - генеральный директор ООО "АИБИ", профессор, доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО) в Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург. Основные научные интересы: физика и технология узкозонных твердых растворов на основе соединений A3B5; гетероструктуры и наногетероструктуры; оптоэлектронные приборы.
      Юрий Павлович Яковлев родился 17 октября 1939 года. Окончил Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина). Научную деятельность в Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе начал в 1969 году в лаборатории, возглавляемой Дмитрием Николаевичем Наследовым. Защитил кандидатскую диссертацию "Создание и исследование варизонных p-n структур на основе GaAlAsSb" в 1978 году. В 1995 году защитил докторскую диссертацию "Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия" и получил степень доктора физико-математических наук.
      Первые работы Ю.П. Яковлева в ФТИ им. А.Ф. Иоффе связаны с созданием и исследованием светодиодов на основе GaAs и GaP, серийное производство которых затем было организовано на заводе "Старт". Научными исследованиями в области инфракрасной оптоэлектроники Ю.П. Яковлев занимается с 1982 года. На протяжении этих лет им и сотрудниками была разработана технология создания как узкозонных твердых растворов и гетеророструктур на основе соединений А3В5, так и оптоэлектронных приборов для спектрального диапазона 2-5 мкм. В 1988 году им совместно с профессором А.А. Рогачевым впервые был предложен и создан квантово-размерный лазер на основе GaSb/GaAlAsSb гетероструктур II типа ( 2 µm), работающий при комнатной температуре.
      В 1986-1996 годах Ю.П. Яковлев с сотрудниками разработали светодиоды и лазеры на основе InGaAsSb/AlGaAsSb и InAsSb/InAsSbP гетероструктур для спектрального диапазона 1.6-5.0 мкм; перестраиваемые лазеры для диапазона 2.7-3.7 мкм, работающие при Т=77-200K; лавинные и pin- фотодиоды для 2-5 мкм.
      В 1995 году Ю.П. Яковлев организовал и возглавил лабораторию инфракрасной оптоэлектроники (ЛИКО) в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Являлся научным руководителем 12 кандидатских диссертаций и получил звание профессора в 1999 году. Научная деятельность проф. Ю.П. Яковлева неоднократно была поддержана как российскими, так и зарубежными научными фондами, включая РФФИ, МНТС и др. В 1995 году он с коллегами был награжден премией имени А.Ф. Иоффе за работы по исследованию оптических и магнитотранспортных свойств гетеропереходов II типа на основе полупроводников A3B5.
      В 1991 году Ю.П. Яковлев с сотрудниками основал компанию АИБИ (IBSG), успешно работающую в области оптоэлектронных приборов для среднего ИК диапазона.
      Ю.П. Яковлев является автором и соавтором 80 патентов, более 200 статей, обзоров и разделов в книгах. Несколько основных публикаций представлены ниже:

1. Yu.P. Yakovlev, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev and M.P. Mikhailova "Optoelectronic LED-photodiode Pairs for Moisture and Gas sensors in the spectral range 1.8-4.8 m", Proc. SPIE, v.1510, 1991, p.128.
2. A.N.Baranov, A.N.Imenkov, V.V.Sherstnev, Yu.P.Yakovlev, "2.7-3.9 mm InAsSb/InAsSbP lasers", Appl.Phys.Lett., 64, 2480 (1994).
3. Yu.P.Yakovlev, A.N.Baranov, A.N.Imenkov, V.V.Sherstnev et al. "Injection InAsSb/InAsSbP lasers for high-resolution spectroscopy." Kvantovaya Electronika, 20(9), 1-9 (1993).
4. Yu.P.Yakovlev, K.D.Moiseev, M.P.Mikhailova, O.G.Ershov, G.G.Zegrya "Longwavelength ( =3.26 m) with a single isolated GaInAsSb/p-InAs type II heterojunction in an active layer" (Tech.Phys.Lett.) 21(12), 482-484.
5. A.A.Popov, V.V.Sherstnev, A.N.Baranov, C.Aliber and Yu.P.Yakovlev "Continuous-wave operation of single mode GaInAsSb lasers emitting near 2,2 m at peltier temperatures" Elect. Lett., 34 (1998).
6. S.Civis, A.N.Imenkov, A.P.Danilova, N.M.Kolchanova, V.V.Sherstnev, Yu.P.Yakovlev, A.D. Walters "A tunable single-mode 3.2 m laser based on an InAsSb/InAsSbP double heterostructure with drive-current tuning range of 10 cm-1" Spectrochemica Acta, Part A, 56, 2125-2130 (2000).
7. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev and Yu.P. Yakovlev "Interface-induced optical and transport phenomena in type II broken-gap single heterostructures" (topical review), Semicond. Sci. Technol., 19, 109-128 (2004).
8. T.N. Danilova, B.E. Zhurtanov, A.N. Imenkov, Yu.P. Yakovlev "Light emitting diodes based on GaSb alloys for mid-infrared 1.6-4.4 m spectral range", Semiconductors, 2005
9. K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev "Interface Lasers with Asymmetric Band Offset Confinement". A. Krier (Ed.). Springer series in optical sciences. 2006, pp.219-235.