IBSG Компания ООО "АИБИ" (IBSG Co., Ltd.) организована в 1991 году группой ведущих научных сотрудников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. В настоящее время компания располагает полным технологическим циклом создания оптоэлектронных приборов, включающим выращивание гетероструктур методами жидкофазной эпитаксии (LPE) и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (MOCVD), фотолитографию, сборку и тестирование. Мы предлагаем светодиоды, лазеры и фотодиоды для средней инфракрасной области (1600-5000 нм), а также изделия на их основе.
ООО "АИБИ" предоставляет оптимальные решения для Ваших задач!
0

ООО "АИБИ" (IBSG Co., Ltd.),
194021, Санкт-Петербург,
ул. Политехническая д.26
тел./факс: +7(812)2970006
тел.: +7(921)9564569,
+7(812)2927956, +7(812)2927929
e-mail
IBSG.inform@gmail.com,
sales@ibsg.ru

Web-site: www.ibsg.ru,
www.ibsg-st-petersburg.com


Новые разработки 2014



Каталог 2014

Кремниевые фотодиоды с усилителем
  • большая активная область ( до 7х7 мм )
  • кремниевые фотодиоды для прецизионных измерений от ИК до мягкого рентгена
  • герметичный (для диапазона 200-1100 нм) металлостеклянный корпус
  • повышенная защищенность входных цепей от электромагнитных помех

Модель Спектральный диапазон
(нм)
Активная области
(мм)
Усиление
(В/А)
Временные характеристики Uout (peak-peak) темн.
(мВ)
Uout темн.
(мВ)
Напряжение питания
(В)
Потребление тока
(мA)
Rjhgec
(мм)
ФПУ1-153 190-1100 Ø7 109,
108,107
100 Гц (-3дБ) 20 ±10
от ±2.5 до ±13 1 21.85х19.35х5.3
*
ФПУ-100 280-1100 Ø2.5 2000 100 МГц (-3дБ) 10 ±10
±5 и -50 В
смещение диода ФДУК-1УСТ
30 текстолит
21х29
с разъемом SMA (50 Ом)
ФПУ100-1 190-1100 Ø1.2 4400 t(нараст)
<1.5 нс
<15 ±20
±5 и 30В
смещение диода ФДУК-1УСТ
30 текстолит
23х36.7
с разъемом SMA (50 Ом)
ФПУ4ТО5 190-1100 Ø1.2 1x107,
1x105
t(нараст)
22 мс
t(нараст)
0.2 мс
20 ±15
от ±2.5 до ±13 1 TO-5

* - Корпус 153-15-2 (14 выводов 1 корпусной )




наверх